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CUS08F30,H3F

CUS08F30,H3F Toshiba

355docget.jsppidcus08f30langentypedatasheet.jsppidcus08f30langentype.pdf Hersteller: Toshiba
Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R
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Technische Details CUS08F30,H3F Toshiba

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V.

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CUS08F30,H3F CUS08F30,H3F Hersteller : Toshiba 355docget.jsppidcus08f30langentypedatasheet.jsppidcus08f30langentype.pdf Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R
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CUS08F30,H3F CUS08F30,H3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
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CUS08F30,H3F CUS08F30,H3F Hersteller : Toshiba 355docget.jsppidcus08f30langentypedatasheet.jsppidcus08f30langentype.pdf Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R
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CUS08F30,H3F CUS08F30,H3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
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CUS08F30,H3F CUS08F30,H3F Hersteller : Toshiba CUS08F30_datasheet_en_20140414-1916097.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
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