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D44H8G

D44H8G ON Semiconductor

d44h-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details D44H8G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics d44h8-1848919.pdf Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics d44h8.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics d44h8.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : onsemi D44H_D-2310602.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN
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D44H8G D44H8G Hersteller : onsemi d44h-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000942.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 50 W
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D44H8G D44H8G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8 D44H8 Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
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D44H8G D44H8G Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8 D44H8 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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D44H8G D44H8G Hersteller : ONSEMI D44H8G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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D44H8 D44H8
Produktcode: 35926 		en.CD00000942.pdf D44H8_NZT44H8.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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D44H8
Produktcode: 190932 		en.CD00000942.pdf D44H8_NZT44H8.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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D44H8 D44H8 Hersteller : onsemi / Fairchild D44H8-1118895.pdf Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
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D44H8 D44H8 Hersteller : onsemi D44H8_NZT44H8.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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D44H8 D44H8 Hersteller : ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8 D44H8 Hersteller : STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8G D44H8G Hersteller : ONSEMI D44H8G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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