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Technische Details DAA200XA1800NA IXYS
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B, Max. off-state voltage: 1.8kV, Semiconductor structure: double independent, Case: SOT227B, Type of module: diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Max. forward voltage: 1.21V, Load current: 100A x2, Max. forward impulse current: 1.5kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DAA200XA1800NA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| DAA200XA1800NA | Hersteller : Littelfuse |
 Avalanche Rectifier |
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DAA200XA1800NA | Hersteller : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B Max. off-state voltage: 1.8kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. forward voltage: 1.21V Load current: 100A x2 Max. forward impulse current: 1.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DAA200XA1800NA | Hersteller : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B Max. off-state voltage: 1.8kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. forward voltage: 1.21V Load current: 100A x2 Max. forward impulse current: 1.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
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