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DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 Diodes Zetex

dmg4800lsd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMG4800LSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.4A
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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280+ 0.26 EUR
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.4A
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
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313+ 0.42 EUR
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIODS21709_1-2541784.pdf MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
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2500+ 0.29 EUR
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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