DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.1A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 0.77W, Case: U-DFN3030-8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 16nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN2016LFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2016LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.77W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
DMN2016LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
DMN2016LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| DMN2016LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.77W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |