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Technische Details DMS3014SFGQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.69W, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 6A, Case: SOT223, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 2A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMS3014SFGQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| DMS3014SFGQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.69W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 6A Case: SOT223 Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMS3014SFGQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8 |
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| DMS3014SFGQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.69W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 6A Case: SOT223 Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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