DMT10H9M9LCT DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Technische Details DMT10H9M9LCT DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMT10H9M9LCT nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT10H9M9LCT | Hersteller : Diodes Zetex |
DMT10H9M9LCT |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H9M9LCT | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT10H9M9LCT | Hersteller : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement MODE MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H9M9LCT | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS |
Produkt ist nicht verfügbar |