DN2625DK6-G Microchip Technology
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Technische Details DN2625DK6-G Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN, Packaging: Tray, Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V, FET Feature: Depletion Mode, Supplier Device Package: 8-DFN (5x5), Part Status: Active.
Weitere Produktangebote DN2625DK6-G nach Preis ab 3.34 EUR bis 5.61 EUR
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN Packaging: Tray Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V FET Feature: Depletion Mode Supplier Device Package: 8-DFN (5x5) Part Status: Active |
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE |
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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DN2625DK6-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 1.1A Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 490 Stücke |
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DN2625DK6-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
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DN2625DK6-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 1.1A Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
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