DN3535N8-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 1.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DN3535N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DN3535N8-G nach Preis ab 0.93 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 350V 10Ohm |
auf Bestellung 15718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |