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DNA30E2200FE

DNA30E2200FE IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Max. forward impulse current: 370A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 30A
Max. forward voltage: 1.22V
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Features of semiconductor devices: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
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Technische Details DNA30E2200FE IXYS

Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-2, IPAK, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: i4-PAC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DNA30E2200FE DNA30E2200FE Hersteller : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Max. forward impulse current: 370A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 30A
Max. forward voltage: 1.22V
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Features of semiconductor devices: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
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DNA30E2200FE DNA30E2200FE Hersteller : IXYS media-3321688.pdf Rectifiers High Voltage Std Rectifier Sngl Diode
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1000+ 8.41 EUR
DNA30E2200FE Hersteller : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-2, IPAK
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: i4-PAC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2
DNA30E2200FE DNA30E2200FE Hersteller : Littelfuse dna30e2200fe.pdf Rectifier Diode 2.2KV 30A 2-Pin i4-PAC Tube
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