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Technische Details DSEE55-24N1F IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEE55-24N1F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Zwei in Reihe, 2.45 V, 85 ns, 800 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: i4-Pac, Durchlassstoßstrom: 800A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.45V, Sperrverzögerungszeit: 85ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: HiPerFRED, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DSEE55-24N1F
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DSEE55-24N1F | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEE55-24N1F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Zwei in Reihe, 2.45 V, 85 ns, 800 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: i4-Pac Durchlassstoßstrom: 800A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.45V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: HiPerFRED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DSEE55-24N1F | Hersteller : Littelfuse | Rectifier Diode Switching 1.2KV 60A 85ns 3-Pin ISOPLUS I4-PAC Tube |
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DSEE55-24N1F | Hersteller : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 800A; Ufmax: 1.56V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ Mounting: THT Case: ISOPLUS i4-pac™ x024b Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.56V Load current: 60A Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 85ns Max. forward impulse current: 800A Power dissipation: 250W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DSEE55-24N1F | Hersteller : IXYS |
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: i4-PAC™ Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 1200 V |
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DSEE55-24N1F | Hersteller : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 800A; Ufmax: 1.56V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ Mounting: THT Case: ISOPLUS i4-pac™ x024b Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.56V Load current: 60A Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 85ns Max. forward impulse current: 800A Power dissipation: 250W |
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