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EFC4618R-P-TR

EFC4618R-P-TR onsemi


mosfets?documentNotFound=3&documentId=1002216 Hersteller: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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Technische Details EFC4618R-P-TR onsemi

Description: ONSEMI - EFC4618R-P-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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EFC4618R-P-TR EFC4618R-P-TR Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000135348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC4618R-P-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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