EMX1FHAT2R Rohm Semiconductor
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Technische Details EMX1FHAT2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote EMX1FHAT2R nach Preis ab 0.076 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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EMX1FHAT2R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN SOT-563 .15A 120 tohFE 50V |
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EMX1FHAT2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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EMX1FHAT2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMX1FHAT2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| EMX1FHAT2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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EMX1FHAT2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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EMX1FHAT2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| EMX1FHAT2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz |
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