FCU900N60Z onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 116201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 379+ | 1.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCU900N60Z onsemi
Description: ONSEMI - FCU900N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.82 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCU900N60Z nach Preis ab 1.17 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCU900N60Z | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic |
auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FCU900N60Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCU900N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.82 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FCU900N60Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FCU900N60Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |