FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 580 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FD400R12KE3HOSA1 nach Preis ab 253.14 EUR bis 313.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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FD400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray |
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FD400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
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FD400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW 5-Pin 62MM-1 Tray |
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