Produkte > ONSEMI / FAIRCHILD > FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102

FDP023N08B-F102 onsemi / Fairchild


FDP023N08B_D-2312896.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220
auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.93 EUR
10+ 5.03 EUR
50+ 4.96 EUR
100+ 3.66 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 3.01 EUR
1000+ 2.9 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDP023N08B-F102 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V.

Weitere Produktangebote FDP023N08B-F102 nach Preis ab 3.6 EUR bis 5.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDP023N08B-F102 FDP023N08B-F102 Hersteller : onsemi fdp023n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+5.97 EUR
50+ 4.73 EUR
100+ 4.05 EUR
500+ 3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP023N08B-F102 FDP023N08B-F102 Hersteller : ONSEMI FDP023N08B-D.pdf Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP023N08B-F102 FDP023N08B-F102 Hersteller : ON Semiconductor 4265537878387263fdp023n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP023N08B-F102 FDP023N08B-F102 Hersteller : ON Semiconductor 4265537878387263fdp023n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar