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FDP2D9N12C

FDP2D9N12C onsemi

FDP2D9N12C_D-2312595.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET PTNG 120V N-FET
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Technische Details FDP2D9N12C onsemi

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel.

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FDP2D9N12C Hersteller : ON Semiconductor fdp2d9n12c-d.pdf N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel
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FDP2D9N12C FDP2D9N12C Hersteller : onsemi fdp2d9n12c-d.pdf Description: PTNG 120V N-FET TO220
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