FDP3652

FDP3652 ON Semiconductor


3672715905115303fdp3652-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+2.36 EUR
79+ 1.89 EUR
100+ 1.53 EUR
250+ 1.43 EUR
500+ 1.33 EUR
800+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDP3652 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FDP3652 nach Preis ab 0.96 EUR bis 3.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDP3652 FDP3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+2.36 EUR
79+ 1.89 EUR
100+ 1.53 EUR
250+ 1.43 EUR
500+ 1.34 EUR
800+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 66
FDP3652 FDP3652 Hersteller : onsemi / Fairchild FDP3652_D-2312532.pdf MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.99 EUR
10+ 2.48 EUR
100+ 1.99 EUR
250+ 1.9 EUR
500+ 1.8 EUR
800+ 1.44 EUR
FDP3652 FDP3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.01 EUR
10+ 2.5 EUR
100+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP3652 FDP3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP3652 FDP3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3652 FDP3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3652 Hersteller : ONSEMI fdp3652-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3652 Hersteller : ONSEMI fdp3652-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar