Produkte > ONSEMI > FDP8D5N10C
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C onsemi


fdp8d5n10c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.44 EUR
10+ 3.72 EUR
100+ 3 EUR
500+ 2.67 EUR
1000+ 2.29 EUR
2000+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDP8D5N10C onsemi

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDP8D5N10C nach Preis ab 2.32 EUR bis 4.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Hersteller : onsemi FDP8D5N10C_D-2312598.pdf MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.51 EUR
10+ 3.78 EUR
50+ 3.57 EUR
100+ 3.06 EUR
250+ 2.89 EUR
500+ 2.71 EUR
1000+ 2.32 EUR
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Hersteller : ONSEMI FDP8D5N10C-D.PDF Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8D5N10C Hersteller : ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Hersteller : ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar