Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDT86102LZ
FDT86102LZ

FDT86102LZ ON Semiconductor

fdt86102lz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+3.38 EUR
51+ 2.93 EUR
52+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
250+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDT86102LZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDT86102LZ nach Preis ab 1.51 EUR bis 5.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+3.38 EUR
51+ 2.93 EUR
52+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
250+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.45 EUR
10+ 2.85 EUR
100+ 2.27 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.63 EUR
2000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDT86102LZ_D-2313320.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 35157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.91 EUR
10+ 2.82 EUR
100+ 2.08 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.51 EUR
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86102LZ Hersteller : ON-Semicoductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI fdt86102lz-d.pdf FDT86102LZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar