FJP13009TU ON Semiconductor
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Technische Details FJP13009TU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote FJP13009TU nach Preis ab 0.64 EUR bis 1.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FJP13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FJP13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FJP13009TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FJP13009TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN |
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FJP13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJP13009TU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
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FJP13009TU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W |
auf Bestellung 3814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJP13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJP13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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