FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
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Technische Details FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FP50R12W2T7B11BOMA1 nach Preis ab 87.45 EUR bis 107.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |