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FQP6N90C

FQP6N90C ON Semiconductor

3671603413175444fqpf6n90c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FQP6N90C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.

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FQP6N90C Hersteller : ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
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FQP6N90C
Produktcode: 128174 		fqpf6n90c-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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FQP6N90C FQP6N90C Hersteller : onsemi fqpf6n90c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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FQP6N90C FQP6N90C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF6N90C_D-2313716.pdf MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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