FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 650A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 650A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 245.96 EUR |
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Technische Details FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 2.25, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: Standard 62mm, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 650, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FZ400R12KE3HOSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FZ400R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 2.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: Standard 62mm IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 650 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ400R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
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