G400P06T Goford Semiconductor

---

Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V

auf Bestellung 49 Stücke:

---

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
14+	1.28 EUR
16+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 14

kaufen

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details G400P06T Goford Semiconductor

Weitere Produktangebote G400P06T nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.32 EUR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	G400P06T	Hersteller : GOFORD Semiconductor	G400P06T	auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1000+ 0.32 EUR Mindestbestellmenge: 1000 kaufen