GBU25H08-M3/P Vishay Semiconductors
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Technische Details GBU25H08-M3/P Vishay Semiconductors
Description: SLGPP 800V IN GBU PACKAGE. INDUS, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 4.5 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Weitere Produktangebote GBU25H08-M3/P nach Preis ab 2.16 EUR bis 3.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GBU25H08-M3/P | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: SLGPP 800V IN GBU PACKAGE. INDUSPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 4.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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