GD400HFY120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD400HFY120C2S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A, Pulsed collector current: 800A, Collector current: 400A, Gate-emitter voltage: ±20V, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Type of module: IGBT, Case: C2 62mm, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.
Weitere Produktangebote GD400HFY120C2S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
GD400HFY120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Pulsed collector current: 800A Collector current: 400A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C2 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
GD400HFY120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Pulsed collector current: 800A Collector current: 400A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C2 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge |
Produkt ist nicht verfügbar |