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Technische Details GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 92A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GD50MPS12H nach Preis ab 18.69 EUR bis 25.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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GD50MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide Schottky Diode |
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GD50MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V |
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GD50MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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| GD50MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
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| GD50MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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