GD75FFY120C5S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD75FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
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Technische Details GD75FFY120C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 117A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 380W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 117A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD75FFY120C5S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| GD75FFY120C5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 150A Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C5 45mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD75FFY120C5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 150A Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C5 45mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor |
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