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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A onsemi

hgtd1n120bns-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
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Technische Details HGTD1N120BNS9A onsemi

Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns, Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A, Power - Max: 60 W.

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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : onsemi / Fairchild HGTD1N120BNS_D-2314438.pdf IGBT Transistors 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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HGTD1N120BNS9A Hersteller : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.7A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 60W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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HGTD1N120BNS9A Hersteller : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.7A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 60W
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