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HUF75339P3

HUF75339P3 Harris Corporation

HRISS01065-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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Technische Details HUF75339P3 Harris Corporation

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : onsemi / Fairchild HUF75339P3_D-2314763.pdf MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : onsemi huf75339p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003591086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor 3673122283856467huf75339p3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 12mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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HUF75339P3 HUF75339P3 Hersteller : ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 12mΩ
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