IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 172W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IAUA250N04S6N008AUMA1 nach Preis ab 2.54 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: OPTIMOS POWER MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005596860 |
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| IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 51A On-state resistance: 960µΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 172W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 109nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1100A Case: PG-HSOF-5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| IAUA250N04S6N008AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 51A On-state resistance: 960µΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 172W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 109nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1100A Case: PG-HSOF-5 |
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