IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies
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Technische Details IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote IDD08SG60CXTMA2 nach Preis ab 4 EUR bis 7.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IDD08SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V |
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IDD08SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IDD08SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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| IDD08SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon |
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| IDD08SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
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IDD08SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V |
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