IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDDD10G65C6XTMA1 nach Preis ab 2.61 EUR bis 6.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; PG-HDSOP-10-1 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 105W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 10A Leakage current: 1µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 44A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V |
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IDDD10G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; PG-HDSOP-10-1 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 105W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 10A Leakage current: 1µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 44A |
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