IDFW40E65D1EXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDFW40E65D1EXKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 42A TO247-3-AI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDFW40E65D1EXKSA1 nach Preis ab 5.07 EUR bis 7.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IDFW40E65D1EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GP 650V 42A TO247-3-AIPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
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