IDH12G65C5 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IDH12G65C5 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 12A, Power dissipation: 104W, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...137mm, Max. forward impulse current: 83A, Max. forward voltage: 1.8V, Leakage current: 2.4µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IDH12G65C5 Produktcode: 165219 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden |
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IDH12G65C5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Power dissipation: 104W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 83A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2.4µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDH12G65C5 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDH12G65C5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Power dissipation: 104W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 83A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2.4µA |
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