IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies
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Technische Details IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A.
Weitere Produktangebote IDK12G65C5XTMA2 nach Preis ab 5.94 EUR bis 9.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IDK12G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A |
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IDK12G65C5XTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IDK12G65C5XTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IDK12G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDK12G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A |
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