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IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies


infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDM10G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361939.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-ds-v02_00-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDM10G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; PG-TO252-2; 223W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 223W
Case: PG-TO252-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 84A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Leakage current: 4µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
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IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDM10G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; PG-TO252-2; 223W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 223W
Case: PG-TO252-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 84A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Leakage current: 4µA
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