IDP30E65D2XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IDP30E65D2XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDP30E65D2XKSA1 nach Preis ab 2.24 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IDP30E65D2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching 650V 60A 42ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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| IDP30E65D2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS |
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