IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDW10G65C5XKSA1 nach Preis ab 2.87 EUR bis 9.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW10G65C5XKSA1 Produktcode: 190599 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 46A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 46A |
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