IDW50E60FKSA1

IDW50E60FKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IDW50E60-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433cd75ebf013cf1ddd0fb255a Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V
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Technische Details IDW50E60FKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 80A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V.

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IDW50E60FKSA1 IDW50E60FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDW50E60_DS_v02_02_en-3361609.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
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