IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW40N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.95 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IGW40N60H3FKSA1 nach Preis ab 3.7 EUR bis 10.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 306W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 306W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW40N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.95 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
IGBT 600V 80A 306W IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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