IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.
Weitere Produktangebote IGW40N65F5FKSA1 nach Preis ab 2.9 EUR bis 8.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon |
IGBT 650V 74A 255W IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGW40N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |