IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Resonant Switching Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IHW30N160R5XKSA1 nach Preis ab 3.86 EUR bis 17.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT 1600V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/290ns Switching Energy: -, 350µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 263 W |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Turn-off time: 411ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Turn-off time: 411ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Resonant Switching Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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IHW30N160R5XKSA1 Produktcode: 180199 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
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IHW30N160R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
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