IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 130 W.
Weitere Produktangebote IKFW50N60DH3EXKSA1 nach Preis ab 4.52 EUR bis 10.07 EUR
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 130 W |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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