Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IKQ120N60TXKSA1
IKQ120N60TXKSA1

IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+19.27 EUR
30+ 15.59 EUR
120+ 14.68 EUR
510+ 13.3 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 241 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns, Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 703 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 833 W.

Weitere Produktangebote IKQ120N60TXKSA1 nach Preis ab 12.28 EUR bis 19.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+19.41 EUR
10+ 18.88 EUR
25+ 15.35 EUR
100+ 14.54 EUR
240+ 14.43 EUR
480+ 12.28 EUR
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008991333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKQ120N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 833 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKQ120N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKQ120N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar