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IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies

Name: IKW50N65H5FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 4442693-5
Price: 3.45 EUR
Availability: InStock

infineon-ikw50n65h5-datasheet-v02_01-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 57 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns, Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 305 W.

Weitere Produktangebote IKW50N65H5FKSA1 nach Preis ab 3.05 EUR bis 13.07 EUR

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IKW50N65H5FKSA1

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW50N65H5FKSA1

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IKW50N65H5FKSA1

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IKW50N65H5FKSA1

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IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IKW50N65H5FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

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Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

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IKW50N65H5FKSA1

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IKW50N65H5FKSA1

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0001300237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IKW50N65H5FKSA1

Hersteller : Infineon

80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
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IKW50N65H5FKSA1
Produktcode: 125871

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW50N65H5FKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKW50N65H5FKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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