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IKW50N65WR5XKSA1

IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
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Technische Details IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns, Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3361989.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
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Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001391280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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