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IMT65R163M1HXUMA1

IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Technische Details IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.

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IMT65R163M1HXUMA1 IMT65R163M1HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMT65R163M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159590.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
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IMT65R163M1HXUMA1 IMT65R163M1HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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IMT65R163M1HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies SP005716855
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