IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 240+ | 9.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IMW120R220M1HXKSA1 nach Preis ab 6.22 EUR bis 14.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V |
auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 9.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 21A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 9.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 21A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV |
Produkt ist nicht verfügbar |